| 氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响 |
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| 引用本文： | 李天微,张建军,曹宇,倪牮,黄振华,赵颖.氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响[J].人工晶体学报,2013,42(12):2525-2531. |
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| 作者姓名： | 李天微 张建军 曹宇 倪牮 黄振华 赵颖 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息科学技术教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705,2011CBA00706,2011CBA00707);国家自然科学基金(61377031);天津市应用基础及前沿技术研究计划(12JCQNJC01000);中央高校基本科研业务费专项资金资助;天津市重大科技支撑计划项目(11TXSYGX22100) |
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| 摘 要： | 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si Gex∶H)薄膜.结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量～40;)μc-Si1-x Gex∶H薄膜结构性能和光电特性的影响.结果表明,随着He稀释/H2稀释(CHe/H2=He/H2)的增加,薄膜的Ge含量基本保持不变,H含量减少,致密度提高,Ge悬挂键和微结构因子先减少后增大.CHe/H2=36;时,薄膜光电特性最好.
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| 关 键 词： | 微晶硅锗薄膜 等离子体增强化学气相沉积 He稀释 |
Influence of Helium and Hydrogen Mixture Dilution on the Structural Properties of Microcrystalline Silicon-germanium Films |
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| LI Tian-wei,ZHANG Jian-jun,CAO Yu,NI Jian,HUANG Zhen-hua,ZHAO Ying.Influence of Helium and Hydrogen Mixture Dilution on the Structural Properties of Microcrystalline Silicon-germanium Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(12):2525-2531. |
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| Authors: | LI Tian-wei ZHANG Jian-jun CAO Yu NI Jian HUANG Zhen-hua ZHAO Ying |
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