| La掺杂BaSnO3薄膜的低温电输运性质 |
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| 引用本文： | 杨健,高矿红,李志青.La掺杂BaSnO3薄膜的低温电输运性质[J].物理学报,2023(22):261-267. |
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| 作者姓名： | 杨健 高矿红 李志青 |
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| 作者单位： | 天津大学理学院,天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:12174282)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba0.94La0.06SnO3薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>Tmin的高温区(Tmin为电阻最小值对应的温度),薄膜的电阻率随温度的升高而升高,并且与温度的平方呈线性关系.在T min的低温区域,薄膜的电阻率随温度降低而上升,并且电阻率随lnT呈线性变化,均匀无序系统中的电子-电子相互作用、弱局域效应以及Kondo效应均不能解释这种现象.经过定量分析,发现电阻率在低温下lnT的依赖关系源于颗粒间电子的库仑相互作用.同时,在Ba0.94La0.06SnO3薄膜中也观察到霍尔系数RH与lnT呈线性关系,并且该线性关系也定量的符合金属颗粒体系中库仑相互作用的理论.薄膜断面高分辨透射电子显微镜结果表明,虽然薄膜整体呈现外延结构,但其中...
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| 关 键 词： | 透明导电氧化物 金属颗粒系统 电子-电子相互作用 电输运性质 |
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