| 溅射制备Ge,Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜 |
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| 引用本文： | 罗晓东,狄国庆.溅射制备Ge,Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜[J].物理学报,2012,61(20):391-397. |
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| 作者姓名： | 罗晓东 狄国庆 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理科学与技术学院,薄膜材料江苏省重点实验室,苏州215006 |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学重大基础研究项目( |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术制备了Ge,Nb共掺杂的锐钛矿结构TiO2薄膜,详细探讨了薄膜的结构、电阻率及光学带隙等性质随Ge,Nb掺杂量、溅射功率和热处理温度等参数的变化,发现Ge,Nb共掺杂可以同时调节TiO2薄膜的光学带隙和电阻率.体积分数约为6%Nb和20%Ge的共掺杂TiO2薄膜电阻率由104Ω/cm减小至10-1Ω/cm,光学带隙由3.2 eV减小至1.9 eV.退火后掺杂TiO2薄膜不仅显示更低的电阻率,还表现出更强的可见-红外光吸收.结果表明,改变Ge,Nb的掺杂量和退火条件能够制备出电阻率和带隙都可调的TiO2薄膜.
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| 关 键 词： | Ge-Nb-TiO2薄膜 电阻率 光学带隙 磁控溅射 |
Ge and Nb co-doped TiO2 films with narrow band gap and low resistivity prepared by sputtering |
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| Luo Xiao-Dong Di Guo-Qing.Ge and Nb co-doped TiO2 films with narrow band gap and low resistivity prepared by sputtering[J].Acta Physica Sinica,2012,61(20):391-397. |
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| Authors: | Luo Xiao-Dong Di Guo-Qing |
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| Affiliation: | Luo Xiao-Dong Di Guo-Qing (Jiangsu Key Labortory of Thin Films,Department of Physics,Soochow University,Suzhou 215006,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge-Nb-TiO2 film resistivity band gap radio frequency magnetron sputtering |
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