| 电场对GaN/g-C3N4异质结电子结构和光学性质影响的第一性原理研究 |
| |
| 引用本文： | 刘晨曦,庞国旺,潘多桥,史蕾倩,张丽丽,雷博程,赵旭才,黄以能.电场对GaN/g-C3N4异质结电子结构和光学性质影响的第一性原理研究[J].物理学报,2022(9):288-296. |
| |
| 作者姓名： | 刘晨曦 庞国旺 潘多桥 史蕾倩 张丽丽 雷博程 赵旭才 黄以能 |
| |
| 作者单位： | 1. 伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室;2. 南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 新疆维吾尔自治区高校科技计划(批准号:XJEDU2021Y044)； |
| |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法研究了GaN/g-C3N4异质结的稳定性、电子结构、光学性质及功函数,同时考虑了电场效应.结果表明:GaN/g-C3N4范德瓦耳斯异质结的晶格失配率(0.9%)和晶格失配能极低(-1.230 meV/?~2,1?=0.1 nm),说明该异质结稳定性很好,且该异质结在很大程度上保留了GaN和g-C3N4的基本电子性质,可作为直接带隙半导体材料.同时,GaN/g-C3N4异质结在界面处形成了从GaN指向g-C3N4的内建电场,使得光生电子-空穴对可以有效分离,这有利于提高体系的光催化能力.进一步分析可知,外加电场使GaN/g-C3N4异质结的禁带宽度有着不同程度的减小,使得电子从价带跃迁至导带更加容易,有利于提高体系的光催化活性;此外,当外加电场高于0.3 V/A以及低于-0.4 ...
|
| 关 键 词： | 电子结构 光学性质 功函数 外电场 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
