| 荧光法测定半导体禁带宽度 |
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| 引用本文： | 时凯居,李睿,李长富,王成新,徐现刚,冀子武.荧光法测定半导体禁带宽度[J].物理学报,2022(6):405-411. |
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| 作者姓名： | 时凯居 李睿 李长富 王成新 徐现刚 冀子武 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学微电子学院新一代半导体材料研究院;2. 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51872167,51672163)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,深入探讨了荧光法测定某个目标温度下InGaN阱层的光学带隙所需要满足的测试条件.由于InGaN阱层是一种多元合金且受到来自GaN垒层的应力作用,所以该阱层中不仅存在着杂质/缺陷相关的非辐射中心,也存在着组分起伏诱发的局域势起伏以及极化场诱发的量子限制斯塔克效应.因此,为了获得目标温度下InGaN阱层的较为精确的光学带隙,提出了荧光测量至少应满足的测试条件,即必须消除该目标温度下非辐射中心、局域中心以及量子限制斯塔克效应对辐射过程的影响.
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| 关 键 词： | 光学带隙 荧光 非辐射复合 局域效应 量子限制斯塔克效应 |
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