| 红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究 |
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| 引用本文： | 马英俊,林泉,于洪国,马会超,许兴,李万朋,许所成.红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究[J].人工晶体学报,2020,49(8):1555-1561. |
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| 作者姓名： | 马英俊 林泉 于洪国 马会超 许兴 李万朋 许所成 |
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| 作者单位： | 有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001;有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001;有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001;有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001;有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001;有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001;有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001 |
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| 摘 要： | GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能.为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响.以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10 000 cm-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶.利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污.
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| 关 键 词： | 砷化镓 水平布里奇曼法 位错密度 熔区长度 窄熔区技术 载流子浓度分布 |
Concentration Distribution of Longitudinal Carriers in Silicon-doped HB-GaAs Single Crystals for Infrared LED |
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| MA Yingjun,LIN Quan,YU Hongguo,MA Huichao,XU Xing,LI Wanpeng,XU Suocheng.Concentration Distribution of Longitudinal Carriers in Silicon-doped HB-GaAs Single Crystals for Infrared LED[J].Journal of Synthetic Crystals,2020,49(8):1555-1561. |
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| Authors: | MA Yingjun LIN Quan YU Hongguo MA Huichao XU Xing LI Wanpeng XU Suocheng |
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