| 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征 |
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| 作者姓名： | 陈莹 袁泽锐 方攀 谢婧 张羽 尹文龙 康彬 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621999;四川省新材料研究中心,成都610200;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳621999 |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院院长基金(YZJJLX2019005) |
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| 摘 要： | 锶镉锗硒(SrCdGeSe4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料.本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe4单晶,尺寸为φ27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片,选取一片8×8 ×2 mm3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值.结果 显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8",该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1～ 14 μm波长范围内透过率超过68;;另外,晶体在Nd∶ YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm2.
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| 关 键 词： | 红外非线性光学材料 SrCdGeSe4单晶 坩埚下降法 单晶生长 性质表征 |
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