| 磷分子离子(P_2~+)注入硅的损伤行为 |
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| 引用本文： | 方子韦,林成鲁,邹世昌.磷分子离子(P_2~+)注入硅的损伤行为[J].物理学报,1988(9). |
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| 作者姓名： | 方子韦 林成鲁 邹世昌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室
(方子韦，林成鲁)，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室(邹世昌) |
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| 摘 要： | 本文研究了不同能量(5—600keV)和不同剂量(10~(14)-10~(16)atom/cm~2)下的P_2~+和P~+注入〈100〉单晶硅后的损伤及退火行为。实验结果表明,P_2~+注入所产生的损伤总是大于P~+注入所产生的损伤。由移位效率之比N_D~*(mol)/2N_D~*(atom)所表征的分子效应随入射能量的改变而变化并在100keV(P_2~+),50keV(P~+)处达到极大值。P_2~+与P~+注入的样品,退火后的载流子分布也有某些区别。我们认为,产生这些分子效应的基本原因是位移尖峰效应,但当入射离子的能量较高时,还应该考虑离子、靶原子之间的多体碰撞效应的贡献。
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