| 高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT |
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| 引用本文： | 荆斌,徐萌,彭聪,陈龙龙,张建华,李喜峰.高负偏光照稳定性的溶液法像素级IZTO TFT[J].物理学报,2022(13):410-417. |
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| 作者姓名： | 荆斌 徐萌 彭聪 陈龙龙 张建华 李喜峰 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学材料科学与工程学院;2. 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:62174105,61674101)； |
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| 摘 要： | 采用溶液法制备了铟锌锡氧化物(indium-zinc-tin-oxide, IZTO)有源层薄膜和铪铝氧化物(hafnium-aluminum oxide, HAO)绝缘层薄膜,并成功应用于背沟道刻蚀结构(back-channel etched, BCE)IZTO薄膜晶体管(thinfilm transistor, TFT)像素阵列.利用N2O等离子体表面处理钝化IZTO缺陷态,提升溶液法像素级IZTO TFT器件性能,特别是光照负偏压稳定性.结果表明,经N2O等离子体处理后,器件饱和迁移率提升了接近80%,达到51.52 cm~2·V–1·s–1.特别是3600 s光照负偏压稳定性从–0.3 V提升到–0.1 V,满足显示驱动的要求.这进一步说明经N2O等离子体处理后能够得到良好的溶液法像素级IZTO TFT阵列.
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| 关 键 词： | 溶液法 TFT像素阵列 N2O等离子处理 光照负偏压稳定性 |
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