| 碳化硅衬底上外延双层石墨烯的电输运性质 |
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| 引用本文： | 胡聚罡,贾振宇,李绍春.碳化硅衬底上外延双层石墨烯的电输运性质[J].物理学报,2022(12):210-216. |
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| 作者姓名： | 胡聚罡 贾振宇 李绍春 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室;2. 南京大学人工微结构科学与技术协同创新中心;3. 上海天马微电子有限公司 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11774149,11790311,92165205)；;国家重点研发计划(批准号:2021YFA1400403)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 石墨烯是低维材料领域研究的热点,在这一体系中研究发现了诸多新奇的量子现象,深入理解石墨烯的电输运性质对于其在未来电子学器件中的应用具有重要的意义.本文通过热分解的方法在SiC单晶衬底上获得外延的双层石墨烯,并系统研究了其电输运性质.在小磁场范围内观测到弱局域化效应,并在较大的磁场区间发现了不饱和线性磁阻.通过角度依赖的磁阻测量,发现该线性磁阻现象符合二维体系的磁输运特征.还在平行场下观测到了负磁阻效应,可能是由双层石墨烯的转角莫尔条纹导致的局部晶格起伏导致的.本文工作加深了对于外延生长的层间具有一定转角的双层石墨烯的电输运性质的认识.
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| 关 键 词： | 外延双层石墨烯 磁电阻 负磁阻 扫描隧道显微镜 |
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