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| Si-SiO_2界面的粗糙度 | |
| 引用本文： | 黄炳忠,余玉贞,洪国光.Si-SiO_2界面的粗糙度[J].物理学报,1987(7). |
| 作者姓名： | 黄炳忠 余玉贞 洪国光 |
| 作者单位： | 中山大学物理系 (黄炳忠，余玉贞)，香港大学(洪国光) |
| 摘 要： | 利用椭偏反射光谱不但验证了Si-SiO_2界面是一祖糙面,而且在恰当的模拟形貌下,把这界面粗糙层等效为若干子层,用有效介质理论处理。分别得到各自的介电特性。通过多相椭偏光反射光谱的理论计算值ψ_(cal),△_(cal)与实验值ψ_(exp),△_(exp)的比较,把粗糙的高度H及相关长度L确定,把不同条件下制备的样品的粗糙度和它们的电气性能相对比,发现两者之间的趋势十分一致。同时发现,在界面上Si的介电常数具有轻度的各向异性。 |
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