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| 第一性原理研究SinB(n=1～12)团簇的稳定性 | |
| 作者姓名： | 张俊 赵高峰 井群 刘霞 罗有华 |
| 作者单位： | 1. 河南大学物理与电子学院理论物理研究所,开封,475004 2. 河南大学物理与电子学院理论物理研究所,开封,475004;华东理工大学理学院,上海,200237 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;河南大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论(DFT),我们研究了SinB(n=1～12)团簇的稳定性.结果表明:SinB的基态构型是在Sin-1B的基态或亚稳态构型上带帽一个Si原子而得到;随着团簇尺寸的增大,B原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内;掺杂B原子提高了纯硅团簇的稳定性;电子总是从Si向B转移,B原子所带的电荷数不仅与B原子的配位数有关,还与SinB团簇的基态结构密切相关. |
| 关 键 词： | SinB团簇 稳定结构 电子性质 |
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