| 关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究 |
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| 引用本文： | 王雪松,冀子武,王绘凝,徐明升,徐现刚,吕元杰,冯志红.关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究[J].物理学报,2014(12):347-353. |
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| 作者姓名： | 王雪松 冀子武 王绘凝 徐明升 徐现刚 吕元杰 冯志红 |
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| 作者单位： | 山东大学物理学院;山东大学晶体材料国家重点实验室;河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室; |
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| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120131110006);山东省科技发展计划(批准号:2013GGX10221);国家自然科学基金(批准号:61306113)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是"S形"的(降低-增加-降低),并且最大发光效率出现在50 K左右.前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征,后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正.进一步的研究结果显示,发光效率不仅是温度的函数,同时也是注入载流子密度的函数.为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正:在不同温度下测量发光效率对注入载流子密度的依赖性,并将发光效率的最大值设为内量子效率是100%,这样,其他温度点和注入载流子密度点所对应的内量子效率也就随之确定.
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| 关 键 词： | InGaN/GaN 发光效率 荧光峰位能量 内量子效率 |
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