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| AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型 | |
| 作者姓名： | 刘乃漳 张雪冰 姚若河 |
| 作者单位： | 华南理工大学电子与信息学院 |
| 基金项目： | 国家重点研究计划(批准号:2018YFB1802100)资助的课题. |
| 摘 要： | AlGaN/GaN HEMT外部边缘电容Cofd是由栅极垂直侧壁与二维电子气水平壁之间的电场构成的等效电容.本文基于保角映射法对Cofd进行物理建模,考虑沟道长度调制效应,研究外部偏置、阈值电压漂移和温度变化对Cofd的影响:随着漏源偏压从零开始增加,Cofd先保持不变再开始衰减,其衰减速率随栅源偏压的增加而减缓; A... |
| 关 键 词： | HEMT 外部边缘电容 沟道长度调制效应 模型 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |