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| AlyGa1—yAs／AlxGa1—xAs量子阱激光器材料的光致荧光谱 | |
| 作者姓名： | 程文芹 蔡丽红 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 北京100080(程文芹，蔡丽红，谢小刚，王文新，胡强)，中国科学院物理研究所 北京100080(周钧铭) |
| 摘 要： | 测量了ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘ量子阱激光材料的光致荧光谱，发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两上峰，而不能激射的材料中则只有一个很宽的峰，将高能峰归属于准费密能级电子的跃迁。 |
| 关 键 词： | 量子阱 激光器材料 光致荧光谱 |
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