|
|||||
|
|
| 改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真 | |
| 引用本文： | 丁媛媛,司玉娟,郎六琪.改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真[J].发光学报,2008,29(5). |
| 作者姓名： | 丁媛媛 司玉娟 郎六琪 |
| 作者单位： | 1. 吉林大学,通信工程学院,吉林,长春,130022 2. 吉林大学,通信工程学院,吉林,长春,130022;吉林大学珠海学院,电子工程系,广东,珠海,519041 3. 吉林大学珠海学院,计算机科学与技术系,广东,珠海,519041 |
| 基金项目： | 吉林省科技发展计划，珠海市科技发展计划，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。 |
| 关 键 词： | 移位寄存器 p沟道技术 多晶硅薄膜晶体管 有源OLED HSPICE仿真 |
The Design and Simulation of an Improved Shift Register for AM-OLED |
|
| DING Yuan-yuan,SI Yu-juan,LANG Liu-qi.The Design and Simulation of an Improved Shift Register for AM-OLED[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(5). | |
| Authors: | DING Yuan-yuan SI Yu-juan LANG Liu-qi |
| Abstract: | The fabrication process of low temperature poly-Si (LTPS) TFT (Thin Film Transistor) can be simplified by p-type technology.In this paper,an improved shift register scheme is proposed,which only consists of p-type poly-Si TFTs.It can be integrated on the panel of AMOLED or AMLCD as a part of peripheral driving circuitry. The shift register is controlled by 6 clock signals and every unit is composed of 6 p-type poly-Si TFTs.In order to verify the correction of the proposed scheme,circuit simulation using HSPICE has been done. Utilizing the advantage of Korea on making poly-Si TFT,we have already fabricated 96×3×128 AMOLED by using the proposed design. |
| Keywords: | shift register p-type technology poly-Si TFT AMOLED HSPICE simulation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
