| SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 姚红英,顾晓,季敏,张笛儿,龚新高.SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究[J].物理学报,2006,55(11). |
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| 作者姓名： | 姚红英 顾晓 季敏 张笛儿 龚新高 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;上海市科委资助项目;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.
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| 关 键 词： | 第一性原理 表面扩散 结合能 金属原子 |
First-principles study of metal atoms adsorbed on SiO2 surface |
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| Yao Hong-Ying,Gu Xiao,Ji Min,Zhang Di-Er,Gong Xin-Gao.First-principles study of metal atoms adsorbed on SiO2 surface[J].Acta Physica Sinica,2006,55(11). |
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| Authors: | Yao Hong-Ying Gu Xiao Ji Min Zhang Di-Er Gong Xin-Gao |
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