| 电子相关对Xe10+离子4d8-4d75P跃迁系跃迁概率的影响 |
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| 引用本文： | 高城,沈云峰,曾交龙.电子相关对Xe10+离子4d8-4d75P跃迁系跃迁概率的影响[J].物理学报,2008,57(7). |
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| 作者姓名： | 高城 沈云峰 曾交龙 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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新世纪高校优秀人才支持计划项目资助的课题 |
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| 摘 要： | 应用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,对Xe10 离子进行了理论计算,获得了跃迁波长和概率等数据.通过逐步引入4dn-5p(n=1,2,3)电子相关的相互作用组态,重点研究了电子相关效应对4d8-4d75p跃迁系跃迁概率的影响.结果显示电子相关效应显著,表明了欲得到精确的4d8-4d75p的振子强度(跃迁概率)数据,理论计算中至少要包括到4d2-5p2的电子相关组态的影响.与实验测得的跃迁波长比较发现,理论结果与之有着较好的一致性;同时理论跃迁概率在两种规范下的结果符合得相当精确,显示了计算结果的可靠性.
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| 关 键 词： | 多组态Dirac-Fock(MCDF)方法 电子相关 跃迁概率 |
Electron correlation effects on transition probabilities from 4d8-4d75p of Xe10+ |
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