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| 高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件（英文） | |
| 引用本文： | 武利翻,苗瑞霞,商世广.高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件（英文）[J].发光学报,2018(5). |
| 作者姓名： | 武利翻 苗瑞霞 商世广 |
| 作者单位： | 西安邮电大学电子工程学院 |
| 摘 要： | 用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1)提高到16 000 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量。从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构。双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的In As/Al Sb异质结Hall器件具有广阔的应用前景。 |
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