| SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征 |
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| 引用本文： | 郁万成,陈秀芳,孙丽,胡小波,徐现刚,赵显.SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征[J].人工晶体学报,2015,44(12):3384-3388. |
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| 作者姓名： | 郁万成 陈秀芳 孙丽 胡小波 徐现刚 赵显 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(513230013);山东大学自然科学专项(2014QY005) |
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| 摘 要： | 使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间.利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征.样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成.对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应的拉曼光谱数据进行对比.结果表明,低于800℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200℃后,插入的氢将被释放.为获得较优的氢插入效果,需要选择1000℃左右的氢气退火温度.
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| 关 键 词： | 石墨烯 碳化硅 热解法 |
Hydrogen Intercalation and Characterization of Epitaxial Graphene Grown on SiC Substrates |
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| YU Wan-cheng,CHEN Xiu-fang,SUN Li,HU Xiao-bo,XU Xian-gang,ZHAO Xian.Hydrogen Intercalation and Characterization of Epitaxial Graphene Grown on SiC Substrates[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(12):3384-3388. |
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| Authors: | YU Wan-cheng CHEN Xiu-fang SUN Li HU Xiao-bo XU Xian-gang ZHAO Xian |
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