| 溅射时间对室温沉积ITO薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 黄成亮,李永波,张勇,王明,张塬昆,贾增民. 溅射时间对室温沉积ITO薄膜光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(4): 1051-1055 |
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| 作者姓名： | 黄成亮 李永波 张勇 王明 张塬昆 贾增民 |
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| 作者单位： | 山东非金属材料研究所,济南,250031;装甲兵驻济南地区军事代表室,济南,250031 |
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| 摘 要： | 利用对靶磁控溅射方法在尺寸为6 cm×6 cm有机玻璃衬底上室温沉积ITO透明导电氧化物薄膜,重点研究了沉积时间对于ITO薄膜导电性、可见光透光性以及红外发射特性的影响.结果发现随溅射时间延长,薄膜厚度呈线性增加;XRD分析显示薄膜逐渐由非晶结构转变为(400)与(440)取向的多晶结构;薄膜导电性能提高,电阻率整体迅速下降,在溅射时间为60 min时达到最小为2.1×10-4Ω·cm,载流子浓度达到最高值为1.2×1021 cm-3,同时薄膜红外发射率最低可达0.17;薄膜可见光透光率逐渐下降,并且在紫外光区域出现一定红移.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 ITO薄膜 溅射时间 光电特性, |
Influence of Sputtering Time on the Photoelectric Properties of ITO Thin Films Deposited at Room Temperature |
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| HUANG Cheng-liang,LI Yong-bo,ZHANG Yong,WANG Ming,ZHANG Yuan-kun,JIA Zeng-min. Influence of Sputtering Time on the Photoelectric Properties of ITO Thin Films Deposited at Room Temperature[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(4): 1051-1055 |
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| Authors: | HUANG Cheng-liang LI Yong-bo ZHANG Yong WANG Ming ZHANG Yuan-kun JIA Zeng-min |
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