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PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备
引用本文:李旺,刘石勇,刘路,王仕鹏,黄海燕,牛新伟,陆川.PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备[J].人工晶体学报,2015,44(9):2350-2353.
作者姓名:李旺  刘石勇  刘路  王仕鹏  黄海燕  牛新伟  陆川
作者单位:浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州310053;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401)
摘    要:利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构.封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13;,电池的转化效率还存在较大的提升空间.

关 键 词:聚酰亚胺  n-i-p结构  激光划分绝缘  掩盖分割  非晶硅薄膜  太阳能电池  

Fabrication of n-i-p Type Amorphous Silicon Thin Films Solar Cells on PI Substrates
LI Wang,LIU Shi-yong,LIU Lu,WANG Shi-peng,HUANG Hai-yan,NIU Xin-wei,LU Chuan.Fabrication of n-i-p Type Amorphous Silicon Thin Films Solar Cells on PI Substrates[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(9):2350-2353.
Authors:LI Wang  LIU Shi-yong  LIU Lu  WANG Shi-peng  HUANG Hai-yan  NIU Xin-wei  LU Chuan
Abstract:
Keywords:
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