| Ti掺杂的CrSi2纳米薄膜的微结构和热电性能 |
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| 引用本文： | 宋贵宏,柳晓彤,孟雪,王亚明,陈立佳,贺春林.Ti掺杂的CrSi2纳米薄膜的微结构和热电性能[J].人工晶体学报,2015,44(8):2112-2117. |
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| 作者姓名： | 宋贵宏 柳晓彤 孟雪 王亚明 陈立佳 贺春林 |
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| 作者单位： | 沈阳工业大学材料科学与工程学院,沈阳,110870;沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室,沈阳,110044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51171118) |
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| 摘 要： | 利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si(100)衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜.场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7～8 nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射线衍射谱显示沉积薄膜具有单一CrSi2点阵(111)晶面择优取向,在1.16at;到1.74at;的Ti含量范围内,随Ti含量的增加,CrSi2纳米薄膜的(111)择优取向的程度下降,同时,Ti含量增加,薄膜CrSi2点阵常数增加,这表明Ti在CrSi2晶体中以替位形式存在.随着Ti含量增加,沉积薄膜的霍尔系数降低,空穴浓度增加,同时薄膜空穴载流子的迁移率和Seebeck系数单调下降;受空穴浓度增加和迁移率降低的影响,随Ti含量增加,沉积薄膜电导率和功率因子呈现先增加达到最大值后又下降的趋势.
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| 关 键 词： | CrSi2薄膜 电导率 迁移率 Seebeck系数 |
Microstructure and Thermoelectric Properties of Ti Doped Nano-sized CrSi2 Thin Films |
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| SONG Gui-hong,LIU Xiao-tong,MENG Xue,WANG Ya-ming,CHEN Li-jia,HE Chun-lin.Microstructure and Thermoelectric Properties of Ti Doped Nano-sized CrSi2 Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(8):2112-2117. |
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| Authors: | SONG Gui-hong LIU Xiao-tong MENG Xue WANG Ya-ming CHEN Li-jia HE Chun-lin |
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