| 基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒 |
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| 引用本文： | 丁彬,程现铁,徐国庆,张宏.基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒[J].人工晶体学报,2015,44(7):1748-1753. |
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| 作者姓名： | 丁彬 程现铁 徐国庆 张宏 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电气工程学院,电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049;西安交通大学苏州研究院,苏州215123 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基金(BK20141215) |
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| 摘 要： | 提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面.通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势.同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值.尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9;.
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| 关 键 词： | 多晶硅太阳能电池 表面制绒 湿法刻蚀 光刻法 负性光刻胶 |
Texturization of Polycrystalline Silicon Wafers by Wet Etching Process Using Negative Photoresist Masks |
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| DING Bin,CHENG Xian-tie,XU Guo-qing,ZHANG Hong.Texturization of Polycrystalline Silicon Wafers by Wet Etching Process Using Negative Photoresist Masks[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(7):1748-1753. |
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| Authors: | DING Bin CHENG Xian-tie XU Guo-qing ZHANG Hong |
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