| 关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究 |
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| 引用本文： | 史力斌,任骏原,张凤云,张国华,余增强.关于MgB2/Al2O3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究[J].物理学报,2007,56(9). |
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| 作者姓名： | 史力斌 任骏原 张凤云 张国华 余增强 |
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| 摘 要： | 利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型 U(T,H)= U0(1-T/(Tc+δ))n (1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)= 2.26.
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| 关 键 词： | 超导体 电阻转变 各向异性 |
A study on resistive transition and anisotropy of MgB2/Al2O3 superconducting thin films |
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| Shi Li-Bin,Ren Jun-Yuan,Zhang Feng-Yun,Zhang Guo-Hua,Yu Zeng-Qiang.A study on resistive transition and anisotropy of MgB2/Al2O3 superconducting thin films[J].Acta Physica Sinica,2007,56(9). |
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| Authors: | Shi Li-Bin Ren Jun-Yuan Zhang Feng-Yun Zhang Guo-Hua Yu Zeng-Qiang |
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| Keywords: | MgB2/Al2O3 |
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