| 应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性 |
| |
| 引用本文： | 宋建军,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,戴显英. 应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性[J]. 物理学报, 2009, 58(7) |
| |
| 作者姓名： | 宋建军 张鹤鸣 宣荣喜 胡辉勇 戴显英 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
| |
| 摘 要： | ![]()
基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)Si1-xGex材料价带带边(重空穴带)、亚带边(轻空穴带)空穴有效质量在某些k矢方向变化显著,各向异性更加明显.价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该研究成果为Si基应变PMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据.
|
| 关 键 词： | 应变Si 价带 空穴有效质量 |
Anisotropy of hole effective mass of strained Si/(001)Si1-xGex |
| |
| Song Jian-Jun,Zhang He-Ming,Xuan Rong-Xi,Hu Hui-Yong,Dai Xian-Ying. Anisotropy of hole effective mass of strained Si/(001)Si1-xGex[J]. Acta Physica Sinica, 2009, 58(7) |
| |
| Authors: | Song Jian-Jun Zhang He-Ming Xuan Rong-Xi Hu Hui-Yong Dai Xian-Ying |
| |
| Abstract: | ![]()
|
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
