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| 混晶GaAs_（1－x）P_x∶N中N_x发光的声子伴线结构 | |
| 引用本文： | 俞容文,郑健生,肖梅杰,林之融,颜炳章.混晶GaAs_（1－x）P_x∶N中N_x发光的声子伴线结构[J].发光学报,1996(1). |
| 作者姓名： | 俞容文 郑健生 肖梅杰 林之融 颜炳章 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系 |
| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金 |
| 摘 要： | 本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究．在低温下，选择激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ∶Ｎ低温发光谱中类似的声子伴线结构．根据实验结果，给出了混晶中各种声子的能量．另外，对组分为ｘ＝０．７６的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ混晶样品，我们还首次观察并分析了多声子重现光谱． |
| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ族半导体混晶，光致发光，声子伴线 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
