| 磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究 |
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| 引用本文： | 王斐,陈新亮,张翅,张德坤,魏长春,黄茜,张晓丹,赵颖,耿新华.磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究[J].人工晶体学报,2011,40(6). |
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| 作者姓名： | 王斐 陈新亮 张翅 张德坤 魏长春 黄茜 张晓丹 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CAA00705,2011CAA00706,2011CAA00707); 国家高技术研究发展计划(863计划)(2009AA050602); 科技部国际合作项目(N2009DFA62580); 天津市应用基础及前沿技术研究计划项目(09JCYBJC06900); 中央高校基本科研业务费专项资金项目(65010341) |
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| 摘 要： | 采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构.研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响.实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度.当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8 ×10-4 Ω·cm,Hall迁移率达34.2 cm2/Ⅴ·s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85％.此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型.
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| 关 键 词： | 脉冲磁控溅射 氧化锌 镓掺杂 H2流量 绒面结构 |
Growth and Characteristics of Hydrogenated Ga-doped ZnO Thin Films by Pulsed DC Magnetron Sputtering at Room Temperature |
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| WANG Fei
,
CHEN Xin-liang
,
ZHANG Chi
,
ZHANG De-kun
,
WEI Chang-chun
,
HUANG Qian
,
ZHANG Xiao-dan
,
ZHAO Ying
,
GENG Xin-hua.Growth and Characteristics of Hydrogenated Ga-doped ZnO Thin Films by Pulsed DC Magnetron Sputtering at Room Temperature[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(6). |
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| Authors: | WANG Fei CHEN Xin-liang ZHANG Chi ZHANG De-kun WEI Chang-chun HUANG Qian ZHANG Xiao-dan ZHAO Ying GENG Xin-hua |
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| Affiliation: | WANG Fei,CHEN Xin-liang,ZHANG Chi,ZHANG De-kun,WEI Chang-chun,HUANG Qian,ZHANG Xiao-dan,ZHAO Ying,GENG Xin-hua (Institute of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology,Tianjin Key Laboratory of Photo-electronic Thin Film Devices and Technology,Key Laboratory of Opto-electronic Information Science and Technology for Ministry of Education,Nankai University,Tianjin 300071,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pulsed DC magnetron sputtering zinc oxide gallium H2-flow textured surface |
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