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Eu3+,Tb3+掺杂对RF磁控溅射ZnO薄膜结构的影响
引用本文:郭冠军,罗莉,戴强钦,黄方映,姚丽丽,董国帅.Eu3+,Tb3+掺杂对RF磁控溅射ZnO薄膜结构的影响[J].人工晶体学报,2011,40(6).
作者姓名:郭冠军  罗莉  戴强钦  黄方映  姚丽丽  董国帅
作者单位:广东工业大学物理与光电工程学院,广州,510006
基金项目:国家自然科学基金(A040410,10774031)资助项目
摘    要:利用RF磁控溅射技术,不同条件下在不同衬底上制备了纯ZnO及Eu3+,Tb3+共掺ZnO薄膜.研究了薄膜的衬底、沉积时间和衬底温度对ZnO薄膜结构及形貌的影响.使用X射线衍射仪(XRD)对样品的结构进行了表征,结果表明:玻璃和石英衬底上的薄膜分别在300℃、镀膜0.5h和常温下、镀膜lh时薄膜具有良好的c轴择优取向,单品质量较好;而硅衬底上的薄膜在300℃、镀膜lh时具有良好的(103)轴择优取向,单品质量略有降低.

关 键 词:磁控溅射  ZnO薄膜  溅射时间  衬底温度

Influence of Eu~(3+),Tb~(3+) Co-doping on ZnO Films by RF Magnetron Sputtering
GUO Guan-jun , LUO Li , DAI Qiang-qin , HUANG Fang-ying , YAO Li-li , DONG Guo-shai.Influence of Eu~(3+),Tb~(3+) Co-doping on ZnO Films by RF Magnetron Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(6).
Authors:GUO Guan-jun  LUO Li  DAI Qiang-qin  HUANG Fang-ying  YAO Li-li  DONG Guo-shai
Affiliation:GUO Guan-jun,LUO Li,DAI Qiang-qin,HUANG Fang-ying,YAO Li-li,DONG Guo-shai (School of Physics & Optoelectronic Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China)
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering  ZnO film  sputtering time  substrate temperature  
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