| CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究 |
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| 引用本文： | 李卫,冯良桓,武莉莉,蔡亚平,张静全,郑家贵,蔡伟,黎兵,雷智,张冬敏.CdSxTe1-r多晶薄膜的制备与性质研究[J].物理学报,2005,54(4):1879-1884. |
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| 作者姓名： | 李卫 冯良桓 武莉莉 蔡亚平 张静全 郑家贵 蔡伟 黎兵 雷智 张冬敏 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA513010)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用真空共蒸发方法制备了CdSxTe1-x多晶薄膜,并用原子力显微镜、x射线衍射和光学透过率谱等研究了CdSxTe1-x多晶薄膜的结构和性质.结果表明薄膜均匀、致密、无微孔,当x≥0.5时为n型半导体,x＜0.5时为p型半导体.CdSxTe1-x多晶薄膜的光学能隙随x变化.结合薄膜的晶格常数和光学能隙得到了薄膜发生相变的组分,当x＜0.25时CdSxTe1-x多晶薄膜为立方相,当x＞0.25时为六方结构.退火后结构没有改变,能隙减小.提出了用CdSxTe1-x多晶薄膜作为缓冲层的新型结构太阳电池.
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| 关 键 词： | CdSxTe1-x 共蒸发法 相变 太阳电池 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(04)/1879-06 |
| 修稿时间： | 2004年9月8日 |
Preparation and properties of polycrystalline CdSxTe1-x thin films for solar cells |
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| Li Wei,FENG Liang-Huan,Wu Li-Li,CAI Ya-Ping,Zhang Jing-Quan,ZHENG Jia-Gui,Cai Wei,Li Bing,Lei Zhi,ZHANG Dong-min.Preparation and properties of polycrystalline CdSxTe1-x thin films for solar cells[J].Acta Physica Sinica,2005,54(4):1879-1884. |
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| Authors: | Li Wei FENG Liang-Huan Wu Li-Li CAI Ya-Ping Zhang Jing-Quan ZHENG Jia-Gui Cai Wei Li Bing Lei Zhi ZHANG Dong-min |
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