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| Zn／GaAs（110）系统的表面驰豫及其对费密能级钉扎的影响 | |
| 引用本文： | 王恩哥.Zn／GaAs（110）系统的表面驰豫及其对费密能级钉扎的影响[J].物理学报,1997,46(1):117-122. |
| 作者姓名： | 王恩哥 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 在紧束缚近似下，利用自洽总能计算给出了Ｚｎ／ＧａＡｓ（１１０）系统的表面几何结构。证明了低覆盖下Ｚｎ／ＧａＡｓ（１１０）表面驰豫是一普遍现象，它对准确地描述费密能级钉扎位置十分重要。进一步给出了与其它元素吸附和清洁ＧａＡｓｄ（１１０）表面的理论与实验结果之比较。 |
| 关 键 词： | 锌／砷化镓 表面驰豫 半导体 费密能级钉扎 |
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