| 摘 要： | 对比激光辐射：纳米光学天线新进展
美国伯克利实验室的研究人员研发出一种纳米光学天线，可极大增强原子、分子和半导体量子点的自发辐射。该进展为发光二极管在短距光通信，包括光学互连芯片和其他潜在应用方面取代激光器开启了大门。伯克利实验室材料科学分部的电气工程师 Eli Yablonovi 说：“与受激光辐射相比，自发光辐射一直不被重视”。“但是，利用恰当的光学天线，自发光辐射实际上可以比受激光辐射更快。”Yablonovitch任教于加州大学伯克利分校，指导美国国家科学基金会中心从事节能电子科学（E3S）的研究，同时他也是伯克利Kavli 能源纳米科学研究所（ Kavli ENSI ）的成员之一。他率领的团队，使用金制成的外部天线，使铟镓砷磷制成的纳米棒的自发光辐射有效增强了115倍。这个接近200倍的增加，在减小受激光辐射和自发光辐射速度差方面，具有里程碑意义。当增加到200倍时，自发辐射率会超过受激辐射率。 Yablono-vitch说，“我们相信利用光学天线，自发辐射率增强有可能超过2500倍，同时保持50％以上的发光效率，”采用光学天线增强型发光二级管替换微芯片上导线，将实现更快的光互连和更强的计算能力。该项研究成果发
表在美国国家科学院学报（ PNAS）中，论文题为“光学天线增强型自发光辐射”。在高科技的世界，激光无处不在，已经成为高速光通信的主力。然而，激光在诸如1m或更小的短距光通信方面也存在弊端--他们消耗过多电能，通常会占用太多空间。发管二极管将成为更有效的替代选择，但却受限于它们的自发辐射率。
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