|
|||||
|
|
| Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展 | |
| 引用本文： | 孔月婵,郑有炓.Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展[J].物理学进展,2011,26(2):127-145. |
| 作者姓名： | 孔月婵 郑有炓 |
| 作者单位： | 南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京 210093 |
| 摘 要： | 本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。 |
| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物异质结构 二维电子气 综述 自发极化 压电极化 迁移率 |
| 点击此处可从《物理学进展》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学进展》下载全文 | |
