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Analysis and simulation of a 4H-SiC semi-superjunction Schottky barrier diode for softer reverse-recovery
Authors:Cao Lin  Pu Hong-Bin  Chen Zhi-Ming  and ZangYuan
Affiliation:( Department of Electronic Engineering, Xi'an University of Technology, Xi'an 710048, China)
Abstract:
Keywords:4H-SiC   semi-superjunction   Schottky barrier diode   softness factor
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