| La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究 |
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| 引用本文： | 段苹,陈正豪,戴守愚,周岳亮,吕惠宾.La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜庞磁电阻性质的研究[J].物理学报,2006,55(3). |
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| 作者姓名： | 段苹 陈正豪 戴守愚 周岳亮 吕惠宾 |
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| 摘 要： | 一种新的庞磁电阻氧化物薄膜La1-xPrxMnO3(x=0.1,0.2)薄膜用脉冲激光沉积(PLD)方法生长在(100)SrTiO3单晶基底上.XRD结果显示薄膜具有很好的外延单晶取向.电输运和磁性质的研究表明薄膜具有显著的庞磁电阻效应(CMR)效应,其中磁电阻比率达95%(在5T的磁场下).X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 电子掺杂 庞磁电阻 |
Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrxMnO3 thin films |
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| Duan Ping,Chen Zheng-Hao,Dai Shou-Yu,Zhou Yue-Liang,Lü Hui-Bin.Colossal magnetoresistance effect in the perovskite-type La1-xPrxMnO3 thin films[J].Acta Physica Sinica,2006,55(3). |
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| Authors: | Duan Ping Chen Zheng-Hao Dai Shou-Yu Zhou Yue-Liang Lü Hui-Bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | La1-xPrxMnO3 |
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