| 赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的
零磁场自旋分裂 |
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| 引用本文： | 桂永胜,郑国珍,郭少令,褚君浩,汤定元,陈建新,李爱珍.赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的
零磁场自旋分裂[J].物理学报,1999,48(1):12. |
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| 作者姓名： | 桂永胜 郑国珍 郭少令 褚君浩 汤定元 陈建新 李爱珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 在赝形渐变ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ异质结的二维电子气中，发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂．利用ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａａｓ振荡研究了异质结中的自旋分裂行为，通过振荡中的拍频现象，发现了零磁场下的自旋分裂量为８７６ｍｅＶ．
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SPIN SPLITTING IN
PSEUDOMORPHIC InGaAs/InAlAs
GRADED HETEROSTRUCTURES AS B |
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