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ZnO过渡层对Au/Hg3In2Te6肖特基接触特性的影响研究
引用本文:刘淙元,傅莉,李亚鹏,王晓珍. ZnO过渡层对Au/Hg3In2Te6肖特基接触特性的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1055-1060
作者姓名:刘淙元  傅莉  李亚鹏  王晓珍
作者单位:西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金(51172185);西北工业大学研究生创业种子基金(Z2013016)
摘    要:利用脉冲激光沉积技术在Hg3In2Te6晶体表面制备ZnO过渡层,并对ZnO过渡层进行了表征.结合X射线光电子能谱深度剖析对ZnO/Hg3In2Te6界面元素的化合态进行研究,并通过半导体参数分析仪对Au/ZnO/Hg3In2Te6肖特基接触电学特性进行测试.研究结果表明,采用本实验条件可在Hg3In2Te6晶体表面获得结晶度高、表面粗糙度低,且沿(002)晶面择优生长的ZnO过渡层.同时,ZnO过渡层的引入使Au/Hg3In2Te6肖特基接触的漏电流降低一个数量级,势垒高度提高6.5;.这种现象可能是由于ZnO/Hg3In2Te6界面存在的互扩散使O原子占据了Hg原子空位,从而降低耗尽层中能级缺陷而引起.

关 键 词:Au/Hg3In2Te6  ZnO过渡层  肖特基势垒,

Study on the Effect of ZnO Interlayer on the Au/Hg3In2Te6 Schottky Contact Characteristics
LIU Cong-yuan,FU Li,LI Ya-peng,WANG Xiao-zhen. Study on the Effect of ZnO Interlayer on the Au/Hg3In2Te6 Schottky Contact Characteristics[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(5): 1055-1060
Authors:LIU Cong-yuan  FU Li  LI Ya-peng  WANG Xiao-zhen
Abstract:
Keywords:
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