| Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向 |
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| 引用本文： | 杨培志,邓佩珍,殷之文,田玉莲.Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向[J].人工晶体学报,2000,29(4):399-403. |
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| 作者姓名： | 杨培志 邓佩珍 殷之文 田玉莲 |
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| 作者单位： | 中国科学院无机功能材料开放实验室,中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院北京高能物理所国家同步辐射实验室,北京,100039 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿<111>方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向.Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有:生长条纹、核心和位错等.晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核.位错的走向垂直于生长界面,符合能量最低原理.采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错.
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| 关 键 词： | Yb∶YAG晶体 生长缺陷 同步辐射形貌相 应力双折射 位错走向 |
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