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高压下A15结构Nb_3Si合成条件的估计
引用本文:徐济安,朱宰万.高压下A15结构Nb_3Si合成条件的估计[J].物理学报,1976(6).
作者姓名:徐济安  朱宰万
作者单位:中国科学院物理研究所 (徐济安),中国科学院物理研究所(朱宰万)
摘    要:目前,在新的超导材料的研究中,A15结构(A_3B型)化合物引起了广泛的兴趣,尤其是Nb族的A15结构超导材料都有很高的超导转变温度Tc,例如Nb_3Sn(18.3K),Nb_3(Al_(0.75) Ge_(0.25))(21.3K),而Nb_3Ge达到23K。 经验表明,在A15结构的超导体中,对同一的A原子,Tc一般随B原子质量下降而增加。例如:

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