•  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  
精选论文
期刊检索


检索
检索项:
检索词:
从 到
总目录
  • WCSB9︱2019（第九届）世界采样和混样大会 查看全文>>
  • 关于召开第十五届全国青年分析测试学术报告会的通知 查看全文>>
友情链接
聚吡咯/碳纳米管分子印迹修饰电极对槲皮素的选择性测定
    点此下载全文
作者单位
朱玲艳; 王宗花; 陈小印; 张菲菲; 夏延致; 李延辉 青岛大学纤维新材料与现代纺织实验室国家重点实验室培育基地 
中文摘要:制备了一种新颖的可对槲皮素分子进行选择性测定的分子印迹聚合物膜修饰电极。在碳纳米管(CNT)独特的结构和力学性能作用下,以吡咯(Py)为功能单体,槲皮素为模板分子,电聚合方法制备了槲皮素的分子印迹聚合物膜修饰电极(PPy/CNT/GCEMIP)。用电化学交流阻抗法研究了该修饰电极的界面性质,用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究了槲皮素在修饰电极上的电化学行为。实验表明,该修饰电极能显著提高槲皮素的氧化峰电流,降低其氧化峰电位,并可在与其结构相似的桑色素等黄酮类物质的存在下,实现对槲皮素的选择性测定。在磷酸盐缓冲液(pH7.0)中,槲皮素的浓度在1.0×10-7~1.0×10-3mol/L范围内,其氧化峰电流与浓度存在良好的线性关系,检出限为5.5×10-8mol/L。该修饰电极可用于含槲皮素成分药物的直接测定。
中文关键词:碳纳米管  分子印迹聚合物  槲皮素  桑色素  选择性
 
引用本文：朱玲艳; 王宗花; 陈小印; 张菲菲; 夏延致; 李延辉.聚吡咯/碳纳米管分子印迹修饰电极对槲皮素的选择性测定[J].分析测试学报,2011,30(1):.
摘要点击次数: 3287
全文下载次数: 1540
查看全文  下载PDF阅读器
版权所有：《分析测试学报》编辑部   粤ICP备12017312号
地址：广州市先烈中路100号； 邮政编码：510070 电话：020-87684776,37656606； 传真：020-87684776
E-mail：fxcsxb@china.com，fxcsxb@qq.com网址：http://new.fxcsxb.com/fxcsxb/ch/index.aspx
 您是第3466656位访问者