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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (1): 114-123.

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过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展

王爱华;张丽伟;张兵临;姚宁   

  1. 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;新乡学院,新乡,450003
  • 出版日期:2008-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    教育部科学技术研究项目(205091)

Recent Progress in Developing Ferromagnetic Properties of Transition-metal-doped ZnO Diluted Magnetic Semiconductors

WANG Ai-hua;ZHANG Li-wei;ZHANG Bin-lin;YAO Ning   

  • Online:2008-02-15 Published:2021-01-20

摘要: ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-metal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道.本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述.

关键词: 自旋电子学;稀磁半导体;ZnO;过渡金属掺杂;室温铁磁性

中图分类号: