基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

人工晶体学报 ›› 2017, Vol. 46 ›› Issue (4): 594-598.

基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

张禹;韦习成;张浩

上海大学材料科学与工程学院,上海 200072;福建江夏学院电子信息科学学院,福州 350108;有机光电子福建省高校工程研究中心,福州 350108;上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;福建江夏学院电子信息科学学院,福州 350108;有机光电子福建省高校工程研究中心,福州 350108

出版日期:2017-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51402050);福建省自然科学基金(2017J01733,2015J01654)

Study on Process Optimization of Zirconia Thin Films Based on Atomic Layer Deposition

Online:2017-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD)进行ZrO2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO2薄膜ALD的最佳工艺条件.分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响.以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO2薄膜.

关键词: 原子层沉积;ZrO2薄膜;工艺优化

Abstract: Study on process of ZrO2 thin films was carried out by atomic layer deposition(ALD)and the best process condition of ZrO2 thin films ALD was achieved.The effects of pulse and purge time of precursor on the properties of the deposited ZrO2 thin films under low temperature were analysed.The ZrO2 thin films with good uniformity, low surface roughness and high visible light transmittance were prepared by using Tetrakis (dimethylamido) zirconium (TDMAZ) and H2O as precursors.

Key words: Study on process of ZrO2 thin films was carried out by atomic layer deposition(ALD)and the best process condition of ZrO2 thin films ALD was achieved.The effects of pulse and purge time of precursor on the properties of the deposited ZrO2 thin films under low temperature were analysed.The ZrO2 thin films with good uniformity, low surface roughness and high visible light transmittance were prepared by using Tetrakis (dimethylamido) zirconium (TDMAZ) and H2O as precursors.

中图分类号:

TB34

张禹;韦习成;张浩. 基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(4): 594-598.

[1]	周伶俐, 兰翠玲, 谢瑞刚, 杨一松, 秦冯详. 花状NiCo-LDH/CB复合材料的制备及其电化学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2331-2335.
[2]	张蒙, 赵炳新, 王娟, 程宏飞. 硬脂酸/插层高岭石复合相变材料的制备和热性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2365-2370.
[3]	王洋;铁生年;代鑫;郝保康. 二氧化硅包覆芒硝基相变储能微胶囊制备及性能表征[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1924-1929.
[4]	邓海山;姚舜;周月霞;陈甲;曹敏驰;王友法. 小尺寸、单分散Cd2+掺杂β-NaLuF∶Yb,Er上转换纳米晶的合成[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1208-1216.
[5]	江民红;倪双阳;姚小玉;李文迪;李德东;许亚萍;饶光辉. 固相晶体生长技术的发展 ——从籽晶诱导到无籽晶生长[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 965-978.
[6]	张锦;惠增哲;王信哲;龙伟;崔梦晨;邹梦星. PMN-PT:Er3+铁电晶体的光谱特性与J-O理论分析[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1023-1029.
[7]	郭颢;张荣良;鲁琴瑶;曾加;李聪. 常压水解-离子交换法制备TiO2负极材料及其电化学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1129-1133.
[8]	邱小小;周细应;王连军;江莞. 高性能GeTe基热电材料的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 920-929.
[9]	时晓磊;陆晓芳;苏莉;顾士甲;周蓓莹;王连军;江莞. 不同表面活性剂制备n型Bi2Te3热电材料[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 677-683.
[10]	张锦;惠增哲;何爱国;王信哲;王梓骅. PSN-PMN-PT∶Er3+晶体Judd-Ofelt理论分析[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2179-2185.
[11]	王保柱;孟帆帆;孟立智;王敏. 基于第一性原理的AlGaN合金热电性质研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2249-2254.
[12]	张理元;尤佳;董志红;钟雅洁;李倩文;由耀辉;刘义武;孙绪兵. Ag修饰氟化二氧化钛的制备及光催化性能研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(10): 1898-1906.
[13]	李培;范胜杰;王连军;江莞. 退火工艺对水热合成SnSe多晶材料热电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(10): 1927-1932.
[14]	任国浩. 无机闪烁晶体在我国的发展史[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(8): 1373-1385.
[15]	赵梦杰;叶帅;宋军. 溶剂热法合成CsPbBr3量子点的研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(8): 1469-1473.