Ti含量对溶胶-凝胶法制备Ti、Ga共掺ZnO薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2020, Vol. 49 ›› Issue (10): 1800-1806.

Ti含量对溶胶-凝胶法制备Ti、Ga共掺ZnO薄膜性能的影响

王瑞;孙宜华;黄龙;敖来远;方亮;骆秋子

三峡大学材料与化工学院,无机非金属晶态与能源转换材料重点实验室,宜昌 443002

出版日期:2020-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
(国家自然科学基金);(中国教育部)

Effect of Ti Content on the Properties of Ti and Ga Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by Sol-Gel Method

WANG Rui;SUN Yihua;HUANG Long;AO Laiyuan;FANG Liang;LUO Qiuzi

Online:2020-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上沉积纳米结构Ti、Ga共掺ZnO薄膜(TGZO,Ga掺杂量为1.0;(原子分数,下同)),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪、霍尔效应测试仪研究了Ti含量对TGZO薄膜的物相组成、表面形貌、电学和光学性能的影响.结果表明:所有TGZO薄膜均表现出六方纤锌矿的多晶结构,并具有(002)择优取向生长,在380～780 nm波长范围内具有良好的透射率(>86;);随着Ti含量的增加,TGZO薄膜的晶粒尺寸和可见光平均透射率均先增加后减小,而光学带隙和电阻率先减小后增加;Ti掺杂量为1.0;时,具有最高的可见光透射率92.82;,最窄的光学带隙3.249 eV,以及最低电阻率2.544×10-3Ω·cm.

中图分类号:

O484

王瑞;孙宜华;黄龙;敖来远;方亮;骆秋子. Ti含量对溶胶-凝胶法制备Ti、Ga共掺ZnO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1800-1806.

WANG Rui;SUN Yihua;HUANG Long;AO Laiyuan;FANG Liang;LUO Qiuzi. Effect of Ti Content on the Properties of Ti and Ga Co-Doped ZnO Thin Films Prepared by Sol-Gel Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2020, 49(10): 1800-1806.

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