InGaAlP/InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 585-588.

InGaAlP/InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换

尉吉勇;黄柏标;于永芹;张琦;姚书山;张晓阳;秦晓燕

山东大学晶体材料研究所,晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20

Upconversion of Infared to Visible Light in InGaAlP/InGaP Multi-quantum Well

WEI Ji-yong;HUANG Bai-biao;YU Yong-qin;ZHANG Qi;YAO Shu-shan;ZHANG Xiao-yang;QIN Xiao-yan

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命.波长1064nm向625nm的上转换激发态寿命约为5ns,而1064nm向660nm的上转换激发态寿命约为7ns.通过双光子原理解释了此现象.

中图分类号:

TN304

尉吉勇;黄柏标;于永芹;张琦;姚书山;张晓阳;秦晓燕. InGaAlP/InGaP多量子阱中的红外向可见光的上转换[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 585-588.

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