Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 479-483.

Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征

汪洪;周圣明;宋学平;刘艳美;李爱侠

安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
安徽省优秀青年科研项目(00047208);安徽省高校学术和技术带头人后备人选科研项目

Preparation and Characterization of ZnO Films Grown by Magnetron Sputtering on Si(111) Substrates

WANG Hong;ZHOU Sheng-ming;SONG Xue-ping;LIU Yan-mei;LI Ai-Xia

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射法在(111)单晶硅衬底上沉积了ZnO薄膜,并研究了退火温度对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小、应力和光致发光谱的影响.X射线衍射(XRD)表明薄膜为高度c轴择优取向.不同退火温度下的ZnO薄膜应力有明显变化,应力分布最为均匀的退火温度为500℃.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,可观测到明显的紫光发射(波长为380nm左右).实验结果表明,用磁控溅射法在单晶硅衬底上能获得高质量的ZnO薄膜.

中图分类号:

O484

汪洪;周圣明;宋学平;刘艳美;李爱侠. Si(111)衬底上ZnO薄膜的磁控溅射法制备及表征[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 479-483.

WANG Hong;ZHOU Sheng-ming;SONG Xue-ping;LIU Yan-mei;LI Ai-Xia. Preparation and Characterization of ZnO Films Grown by Magnetron Sputtering on Si(111) Substrates[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2005, 34(3): 479-483.

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