GaN的MOVPE生长中台阶表面吸附的 量子化学计算

人工晶体学报 ›› 2018, Vol. 47 ›› Issue (7): 1312-1317.

GaN的MOVPE生长中台阶表面吸附的量子化学计算

张周;左然;唐斌龙;袁银梅;张红

江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013

出版日期:2018-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61474058)

Quantum Chemical Calculation on the Step Surface Adsorptions in GaN MOVPE Process

ZHANG Zhou;ZUO Ran;TANG Bin-long;YUAN Yin-mei;ZHANG Hong

Online:2018-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用量子化学的密度泛函理论,计算GaN的MOVPE生长中主要的表面反应前体NH3、GaCH3(简写为MMG)在GaN(0001)面台阶处的吸附特性,并与理想平台表面对比.结果表明,在台阶吸附时,NH3有分子吸附和分解吸附两种结构,MMG只有两种分子吸附结构.NH3分子吸附时,吸附能在台阶处大于在平台表面;NH3分解吸附时,吸附能在平台表面大于在台阶处.说明NH3在台阶处容易发生分子吸附,而在平台表面容易发生分解吸附.MMG在台阶处的吸附能均大于在平台表面,说明它们在台阶处吸附比理想表面更容易.

中图分类号:

TN304

张周;左然;唐斌龙;袁银梅;张红. GaN的MOVPE生长中台阶表面吸附的量子化学计算[J]. 人工晶体学报, 2018, 47(7): 1312-1317.

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