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人工晶体学报 ›› 1998, Vol. 27 ›› Issue (1): 31-35.
程干超;杨琳;吴海信;程宁
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RSS出版日期:1998-01-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:Cheng Ganchao;Yang Ling;Wu Haixin;Cheng Ning
Online:1998-01-15
Published:2021-01-20
摘要： 本文报导了一种AgGaSe2生长工艺,可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质,结合一项改进的坩埚镀碳技术,提高了生长优质AgGaSe2单晶的成品率.文中还给出了晶体样品的红外观测,红外透过光谱和光电流谱,以及可调谐TEA CO2激光倍频的实验结果.
中图分类号:
程干超;杨琳;吴海信;程宁. AgGaSe2 晶体的改进Bridgman法生长[J]. 人工晶体学报, 1998, 27(1): 31-35.
Cheng Ganchao;Yang Ling;Wu Haixin;Cheng Ning. Growth of AgGaSe2 Single Crystal By Improved Bridgman Method[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 1998, 27(1): 31-35.
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