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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (12): 3145-3150.

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PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析

张林睿;周炳卿;高玉伟;张龙龙;张娜;路小翠   

  1. 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022
  • 出版日期:2014-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51262022);内蒙古师范大学“十百千”人才工程资助项目(RCPY-2-2012-K-041)

Properties Analysis of Silicon Film Deposited by PECVD after Annealing

ZHANG Lin-rui;ZHOU Bing-qing;GAO Yu-wei;ZHANG Long-long;ZHANG Na;LU Xiao-cui   

  • Online:2014-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理.通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~ 700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性.实验表明:多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出(111)方向的择优生长取向.当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加.对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落.

关键词: 等离子体增强化学气相沉积;硅薄膜;退火

中图分类号: