石英衬底上大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 872-875.

石英衬底上大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征

马蕾;郭延岭;张志刚;江子荣;娄建忠;彭英才

河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Fabrication and Structural Characterization of Large Grain Polycrystalline Silicon Films on Quartz Substrates

MA Lei;GUO Yan-ling;ZHANG Zhi-gang;JIANG Zi-rong;LOU Jian-zhong;PENG Ying-cai

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用高频感应加热化学气相沉积工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,在未抛光的粗糙石英衬底上直接沉积制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜.采用扫描电子显微镜、X射线衍射和可见-紫外分光光度计等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、择优取向与光反射等特性.结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状况.1000℃下沉积薄膜的平均晶粒尺寸为～3μm,择优取向为<111>晶向.反射谱测量表明,920℃下制备薄膜的反射率比1000℃下制备的更低,最低值达18.4;,这应归功于前者具有更大的表面粗糙度.

中图分类号:

O484

马蕾;郭延岭;张志刚;江子荣;娄建忠;彭英才. 石英衬底上大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 872-875.

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