GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (4): 601-606.

GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征

李龙;章海霞;刘晶;马淑芳;梁建;许并社

太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024

出版日期:2013-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51002102);山西省回国留学人员重点科研资助项目(2009-03)

Preparation and Characterization of Nano GaAs Thin Films by a Two-step Electrodeposition Method

LI Long;ZHANG Hai-xia;LIU Jing;MA Shu-fang;HANG Jian;XU Bing-She

Online:2013-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用分步电化学沉积法,在FTO玻璃基底上成功制备出GaAs薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外可见光光度计(UV-Vis)、荧光光度计(PL)对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行表征.结果表明:GaAs薄膜为面心立方晶系,沿(111)方向择优生长.随着退火温度的升高,薄膜内颗粒逐渐增大,Ga与As原子量比发生变化,Eg值减小,光致发光峰为红外发射峰.同时对其形成机理进行了探讨.

中图分类号:

O484

李龙;章海霞;刘晶;马淑芳;梁建;许并社. GaAs纳米薄膜的分步电沉积制备及表征[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(4): 601-606.

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